BYV32EB-200_4
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Product data sheet Rev. 04 — 2 March 2009 5 of 9
NXP Semiconductors
BYV32EB-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
Fig 4. Forward current as a function of forward
voltage
Fig 5. Reverse recovery definitions; ramp recovery
Fig 6. Reverse recovery definitions; step recovery
Fig 7. Forward recovery definitions
0 1.60.4 0.8
1.2
003aac981
16
8
24
32
0
VF
(V)
IF
(A)
(1) (2)
(3)
003aac562
trr
time
100 %
25 %
IF
dlF
dt
IR
IRM
Qr
003aac563
trr
time
0.25 x IR
IF
IR
IR
Qr
IF
001aab912
time
time
VFRM
VF
IF
VF
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